Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics › STGF10NC60KD

STGF10NC60KD

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1481 шт., срок 7-9 недель

500 руб.

от 50 шт. — 350 руб.

от 100 шт. — 282 руб.

от 500 шт. — 222.63 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 500 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005820195

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single

IGBT 600V 9A 25W Through Hole TO-220FP

Технические параметры

Base Product Number	STGF10 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	9A
Current - Collector Pulsed (Icm)	30A
ECCN	EAR99
Gate Charge	19nC
HTSUS	8541.29.0095
Input Type	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Power - Max	25W
REACH Status	REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)	22ns
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	PowerMESHв„ў ->
Supplier Device Package	TO-220FP
Switching Energy	55ВµJ (on), 85ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C	17ns/72ns
Test Condition	390V, 5A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Pd - рассеивание мощности	25 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	9.3 mm
Длина	10.4 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2 V
Непрерывный коллекторный ток	6 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	9 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STGF10NC60KD
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3 FP
Ширина	4.6 mm
Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	9 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	25 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	TO-220FP
Pin Count	3
Switching Speed	1MHz
Transistor Configuration	Single
Automotive	No
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	Through Hole
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	600
Maximum Continuous Collector Current (A)	9
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)	0.1
Maximum Gate Emitter Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	25
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Packaging	Tube
Part Status	Active
PCB changed	3
PPAP	No
Standard Package Name	TO
Supplier Package	TO-220FP
Supplier Temperature Grade	Industrial
Tab	Tab
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)	2.2