APT47N60BC3G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 790 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 790 руб.
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Drain current | 47A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Gate charge | 260nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 70mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 417W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 228 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 0.024Ом, 84А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
ST Microelectronics
3 520 руб.
![MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]](https://static.chipdip.ru/lib/894/DOC005894901.jpg)
