FP75R12KT3BOSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 300 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 44 300 руб.
Описание
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives medical application etc.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 105 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 355 W |
| Number of Transistors | 7 |
| Package Type | EconoPIM |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 566 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![FS200R07PE4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 200 А, 1.55 В, 600 Вт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/296/DOC005296256.jpg)
