APT34F60S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 040 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 040 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 600V 36A (Tc) 624W (Tc) Поверхностный монтаж D3PAK
Технические параметры
| Base Product Number | APT34F60 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6640pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Power Dissipation (Max) | 624W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 17A, 10V |
| Series | POWER MOS 8в„ў -> |
| Supplier Device Package | D3PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Вес, г | 849 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 320 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 0.024Ом, 84А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
ST Microelectronics
3 520 руб.
![MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]](https://static.chipdip.ru/lib/894/DOC005894901.jpg)
![Транзистор 60R165CP, тип N, 192 Вт, корпус D2PAK [TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/126/DOC011126100.jpg)
