FS200R12KT4RBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 280 А, 1.75 В, 1 кВт, 150 °C, Module

Фото 1/2 FS200R12KT4RBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 280 А, 1.75 В, 1 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
71 510 руб.
от 5 шт.65 510 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 71 510 руб.
Номенклатурный номер: 8108335907
Артикул: FS200R12KT4RBOSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

FS200R12KT4R, SP000715004

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.75В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 280А
DC Ток Коллектора 280А
Power Dissipation 1кВт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Six Pack(Full Bridge)
Линейка Продукции Econo 3
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.75В
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 1кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)
Channel Type N
Configuration 3 Phase Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 280 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1000 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Surface Mount
Package Type EconoPACK 3
Pin Count 35
Transistor Configuration 3 Phase
Вес, г 0.31

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов