APL502J
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 650 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 15 650 руб.
Описание
Дискретные полупроводниковые модули Power MOSFET - Linear
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 52 A |
Pd - рассеивание мощности | 568 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 90 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Screw Mount |
Время нарастания | 24 ns |
Время спада | 14 ns |
Высота | 9.6 mm |
Длина | 38.2 mm |
Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | ISOTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | Discrete Semiconductor Modules |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | Power MOSFET Modules |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Тип продукта | Discrete Semiconductor Modules |
Типичное время задержки выключения | 58 ns |
Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Торговая марка | Microsemi |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | SOT-227-4 |
Ширина | 25.4 mm |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары