STGWA30IH65DF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

80 шт., срок 7-9 недель

670 руб.

от 30 шт. — 470 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 670 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8006185378

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM

Pd - рассеивание мощности:	180 W
Вид монтажа:	Through Hole
Конфигурация:	Single
Максимальная рабочая температура:	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:	20 V
Минимальная рабочая температура:	- 55 C
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	1.55 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:	60 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:	30 A
Подкатегория:	IGBTs
Производитель:	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки:	600
Тип продукта:	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер:	250 nA
Торговая марка:	STMicroelectronics
Упаковка / блок:	TO-247-3
Упаковка:	Tube
Collector Emitter Saturation Voltage	1.55В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	60А
Power Dissipation	180Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	IH
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247LL
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	60 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	108 W
Number of Transistors	1
Package Type	TO-247
Pin Count	4