STGWT30H60DFB

Фото 1/2 STGWT30H60DFB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
590 шт., срок 7-9 недель
1 230 руб.
от 30 шт.840 руб.
от 120 шт.672 руб.
от 510 шт.555.64 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 230 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8006189607
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W сквозное отверстие TO-3P

Технические параметры

Base Product Number STGWT30 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
ECCN EAR99
Gate Charge 149nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max 260W
REACH Status REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr) 53ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-3P
Switching Energy 383ВµJ (on), 293ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 37ns/146ns
Test Condition 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 60 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 260 W
Minimum Operating Temperature -55 °C
Package Type TO-3P
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Brand: STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.55 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 60 A
Continuous Collector Current Ic Max: 30 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 300
Gate-Emitter Leakage Current: 250 nA
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-3P
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 260 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: STGWT30H60DFB
Subcategory: IGBTs
Technology: Si

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1495 КБ
Datasheet
pdf, 682 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.