TSM60NB190CF C0G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3503 шт., срок 7-9 недель

1 240 руб.

от 50 шт. — 850 руб.

от 100 шт. — 674 руб.

от 500 шт. — 557.61 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 240 руб.

Номенклатурный номер: 8006190933

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N-канал, 600 В, 18 А (Tc), 59,5 Вт (Tc), сквозное отверстие, ITO-220S

Base Product Number	TSM60 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1311pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)	59.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 3.7A, 10V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	ITO-220S
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Вес, г	1.69

pdf, 352 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем