2SARA41CHZGT116S, Bipolar Transistors - BJT -120V, -50mA H. Volt Amplifier

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2387 шт., срок 6-8 недель

150 руб.

от 10 шт. — 120 руб.

от 100 шт. — 59 руб.

от 1000 шт. — 37.70 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 150 руб.

Номенклатурный номер: 8006215800

Артикул: 2SARA41CHZGT116S

Бренд: Rohm

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT -120V, -50mA H. Volt Amplifier

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	180
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	120 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	50 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	140 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-23-3
Вес, г	1