MMBFJ175LT1G, JFET 25V 10mA

Фото 1/4 MMBFJ175LT1G, JFET 25V 10mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт.71 руб.
от 100 шт.44 руб.
от 1000 шт.28.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8006219957
Артикул: MMBFJ175LT1G

Описание

Описание Транзистор: P-JFET, полевой, 0,225Вт, SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид JFET

Технические параметры

Channel Type P
Configuration Single
Drain Gate On-Capacitance 11pF
Idss Drain-Source Cut-off Current -7 to-60mA
Maximum Drain Gate Voltage -25V
Maximum Drain Source Resistance 125 Ω
Maximum Drain Source Voltage 15 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Source Gate On-Capacitance 11pF
Transistor Configuration Single
Width 1.4mm
Drain-Gate Voltage (Max) 25(V)
Gate-Source Voltage (Max) 25(V)
Mounting Surface Mount
Operating Temperature (Max) 150C
Operating Temperature (Min) -55C
Operating Temperature Classification Military
Packaging Tape and Reel
Rad Hardened No
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MMBFJ175LT1G
pdf, 216 КБ
MMBFJ175LT1
pdf, 110 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов