2N2222AUB, Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт., срок 7-9 недель
10 480 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 480 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярный (BJT) транзистор NPN 50V 800mA 300mW Surface Mount Ceramic SMD
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 1mA, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 200В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | 3-LCC |
| Power - Max | 300mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | RoHS non-compliant |
| Supplier Device Package | Ceramic SMD |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 15mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
