AIKB40N65DF5ATMA1, IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 590 руб.
от 10 шт. —
1 240 руб.
от 25 шт. —
1 130 руб.
от 100 шт. —
902.66 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 590 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETE SWITCHES
Технические параметры
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | AIKB40N65DF5 SP001686012 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | Trenchstop IGBT5 F5 |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары