DTA114YET1G, Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP

Фото 1/2 DTA114YET1G, Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
45 руб.
от 10 шт.30 руб.
от 100 шт.15 руб.
от 1000 шт.7.87 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 45 руб.
Номенклатурный номер: 8006239390
Артикул: DTA114YET1G

Описание

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-контактный SOT-416 T / R

Технические параметры

Brand ON Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.1 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min 80
DC Current Gain HFE Max 80
Factory Pack Quantity 3000
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SC-75-3
Packaging Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation 200 mW
Peak DC Collector Current 100 mA
Product Category Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Series DTA114YE
Subcategory Transistors
Transistor Polarity PNP
Typical Input Resistor 10 kOhms
Typical Resistor Ratio 0.21
Automotive No
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA) 100
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 300
Minimum DC Current Gain 80 5mA 10V
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-416
Type PNP
Typical Input Resistor (kOhm) 10
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 175 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов