NCP5106ADR2G, Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR

NCP5106ADR2G, Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
350 руб.
от 10 шт.300 руб.
от 100 шт.208 руб.
от 500 шт.186.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 350 руб.
Посмотреть аналоги4
Номенклатурный номер: 8006239876
Артикул: NCP5106ADR2G

Технические параметры

IC Case / Package SOIC
Задержка Выхода 100нс
Задержка по Входу 100нс
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Количество Каналов 2канал(-ов)
Конфигурация Привода Высокая Сторона и Низкая Сторона
Максимальная Рабочая Температура 125 C
Максимальное Напряжение Питания 20В
Минимальная Рабочая Температура -40 C
Минимальное Напряжение Питания 10В
Монтаж Микросхемы SMD(Поверхностный Монтаж)
Стиль Корпуса Привода SOIC
Тип переключателя питания IGBT, MOSFET
Ток истока 250мА
Ток стока 500мА
Вес, г 0.54

Техническая документация

Datasheet
pdf, 124 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки»
Типы корпусов импортных микросхем