2N7002PV,115, MOSFET NRND for Automotive Applications 2N7002PV/SOT666/SOT6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18496 шт., срок 6-8 недель
120 руб.
от 10 шт. —
83 руб.
от 100 шт. —
32 руб.
от 1000 шт. —
19.22 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Dual |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.35 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1600@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 6 |
Pin Count | 6 |
PPAP | No |
Process Technology | TMOS |
Product Category | Small Signal |
Supplier Package | SOT-666 |
Typical Fall Time (ns) | 5 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.6@4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 30@10V |
Typical Rise Time (ns) | 4 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 10 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 280 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары