Jantx2N5666, Bipolar Transistors - BJT 200V 1.2A 5W NPN Power BJT THT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 030 руб.

от 100 шт. — 3 100 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 030 руб.

Номенклатурный номер: 8006262737

Артикул: Jantx2N5666

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Power BJT

Pd - рассеивание мощности	1.2 W
RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25 at 1 A at 5 VDC
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	75 at 1 A at 5 VDC
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	5 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	250 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	400 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	1
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microsemi
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-5-3
Вес, г	1