Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Rohm › 2SA1576UBTLR, Bipolar Transistors - BJT GP ...

2SA1576UBTLR, Bipolar Transistors - BJT GP Amp Trans

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7492 шт., срок 6-8 недель

67 руб.

от 10 шт. — 45 руб.

от 100 шт. — 18 руб.

от 1000 шт. — 11.81 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 67 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8006263934

Артикул: 2SA1576UBTLR

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT GP Amp Trans

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	390
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	150 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	140 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	2SA1576UB
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	UMT-3
Base Product Number	2SA1576 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 6V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	140MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	SC-85
Power - Max	200mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	UMT3F
Transistor Type	PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Вес, г	1