Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Ixys › IXFB210N30P3, MOSFET N-Channel: Power MOSFET ...

IXFB210N30P3, MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8 210 руб.

от 10 шт. — 6 610 руб.

от 25 шт. — 5 740 руб.

от 50 шт. — 5 560.62 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 210 руб.

Номенклатурный номер: 8006395091

Артикул: IXFB210N30P3

Бренд: Ixys Corporation

Описание

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYSundefined

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	210 A
Maximum Drain Source Resistance	14.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	300 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.89 kW
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	PLUS264
Pin Count	3
Series	HiperFET, Polar3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	268 nC @ 10 V
Width	5.31mm
Вес, г	3