IRLML0030TRPBF, MOSFET MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
от 10 шт. —
68 руб.
от 100 шт. —
46 руб.
от 1000 шт. —
31.33 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 5,3А, 1,3Вт, S Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Base Product Number | IRLML0030 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 382pF @ 15V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5.2A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Supplier Device Package | Micro3в„ў/SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 25ВµA |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | - |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | - |
| Rds On - Drain-Source Resistance | - |
| Transistor Polarity | - |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - |
| Крутизна характеристики S,А/В | 9.5 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2.3 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 40 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 27 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.6 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| Automotive | No |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 5.3 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 27@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 1300 |
| Military | No |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 2.6@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 382@15V |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 191 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRLML0030TRPBF
pdf, 192 КБ
Datasheet IRLML0030PBF
pdf, 224 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
