FF150R17KE4, IGBT Modules IGBT Module 150A 1700V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
31 150 руб.
от 10 шт. —
25 110 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 31 150 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.7 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.95 V |
Configuration: | Dual |
Continuous Collector Current at 25 C: | 250 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Chassis Mount |
Package / Case: | 62 mm |
Packaging: | Tray |
Part # Aliases: | SP000713524 FF150R17KE4HOSA1 |
Pd - Power Dissipation: | 1100 W |
Product Category: | IGBT Modules |
Product Type: | IGBT Modules |
Product: | IGBT Silicon Modules |
Series: | Trenchstop IGBT4-E4 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | TRENCHSTOP |
Вес, г | 340.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 712 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары