FF1500R17IP5BPSA1, IGBT Modules PP IHM I

Фото 1/2 FF1500R17IP5BPSA1, IGBT Modules PP IHM I
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
211 700 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 211 700 руб.
Номенклатурный номер: 8005239633
Артикул: FF1500R17IP5BPSA1

Описание

Модуль IGBT Trench Field Stop 2 Независимый модуль для монтажа на шасси 1700 В, 1500 А, 20 мВт

Технические параметры

Base Product Number FF1500 ->
Configuration 2 Independent
Current - Collector (Ic) (Max) 1500A
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 88nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tray
Package / Case Module
Power - Max 20mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series PrimePACKв„ў3+ ->
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 1500A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 1700 V
Maximum Continuous Collector Current 1.5 kA
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 20 mW
Number of Transistors 2
Package Type PRIME3+
Pin Count 10
Transistor Configuration Dual
Collector Emitter Saturation Voltage 1.75В
Collector Emitter Voltage Max 1.7кВ
Continuous Collector Current 1.5кА
DC Ток Коллектора 1.5кА
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Dual
Линейка Продукции PrimePACK 3+B
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Максимальная Температура Перехода Tj 175°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.75В
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 5(Trench/Field Stop)
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 651 КБ
Datasheet
pdf, 1002 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов