IRL2505PBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
820 руб.
от 50 шт. —
570 руб.
от 100 шт. —
463 руб.
от 500 шт. —
340.94 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 820 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 104А, 200Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Base Product Number | IRL2505 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 104A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5000pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 54A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 104 A |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Qg - заряд затвора | 86.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Другие названия товара № | SP001567114 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| FET Feature | - |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 104 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 130 nC @ 5 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRL2505PBF
pdf, 224 КБ
Datasheet IRL2505PBF
pdf, 229 КБ
IRL2505 datasheet
pdf, 102 КБ
Datasheet IRL2505PBF
pdf, 223 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
