Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics › STGWT60H65FB

STGWT60H65FB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

385 шт., срок 7-9 недель

1 260 руб.

от 30 шт. — 860 руб.

от 120 шт. — 689 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 260 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8006584324

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single

IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W сквозное отверстие TO-3P

Технические параметры

Base Product Number	STGWT60 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	80A
Current - Collector Pulsed (Icm)	240A
ECCN	EAR99
Gate Charge	306nC
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input Type	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max	375W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-3P
Switching Energy	1.09mJ (on), 626ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C	51ns/160ns
Test Condition	400V, 60A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Pd - рассеивание мощности	375 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	80 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	60 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	300
Серия	STGWT60H65FB
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	250 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3P