BSP220,115

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6521 шт., срок 6-8 недель

260 руб.

от 10 шт. — 210 руб.

от 100 шт. — 137 руб.

от 500 шт. — 103.05 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8006600427

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -220В, -0,225А, 1,5Вт, SOT223 Характеристики

Base Product Number	BSP220 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	225mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	P-Channel
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	90pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power Dissipation (Max)	1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12Ohm @ 200mA, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-223
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Вес, г	0.227