STGWT40V60DLF
292 шт., срок 6-8 недель
1 260 руб.
от 30 шт. —
860 руб.
от 120 шт. —
686 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 260 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
Полевой упор для траншеи IGBT 600 В, 80 А, 283 Вт, сквозное отверстие TO-3P
Технические параметры
| Base Product Number | STGWT40 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 226nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Power - Max | 283W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Switching Energy | 411ВµJ (off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | -/208ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Техническая документация
Datasheet STGWT40V60DLF
pdf, 1280 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![IGW60T120FKSA1 (G60T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
![GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303030.jpg)
