STGWT30V60F

STGWT30V60F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
542 шт., срок 7-9 недель
1 040 руб.
от 30 шт.710 руб.
от 120 шт.565 руб.
от 510 шт.467.11 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 040 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8006607752
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W сквозное отверстие TO-3P

Технические параметры

Base Product Number STGWT30 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
ECCN EAR99
Gate Charge 163nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max 260W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-3P
Switching Energy 383ВµJ (on), 233ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 45ns/189ns
Test Condition 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 60А
Power Dissipation 260Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции V
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-3P

Техническая документация

Datasheet
pdf, 400 КБ
Datasheet STGWT30V60F
pdf, 1471 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.