G2R1000MT17J

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

12594 шт., срок 7-9 недель

1 840 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 840 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8006612144

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N-канал 1700V 3A (Tc) 54W (Tc) поверхностный монтаж TO-263-7

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1700V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	139pF @ 1000V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-263-8, DВІPak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Power Dissipation (Max)	54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2A, 20V
RoHS Status	RoHS Compliant
Series	G2Rв„ў ->
Supplier Device Package	TO-263-7
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+20V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 2mA
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	1.45Ом
Power Dissipation	44Вт
Количество Выводов	7вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Линейка Продукции	G2R Series
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Напряжение Измерения Rds(on)	20В
Напряжение Истока-стока Vds	1.7кВ
Непрерывный Ток Стока	5А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	5.5В
Рассеиваемая Мощность	54Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	1Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Вес, г	90