APT19F100J

APT19F100J
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 600 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 600 руб.
Номенклатурный номер: 8006612439

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-Channel 1000V 20A (Tc) 460W (Tc) Chassis Mount ISOTOPВ®

Технические параметры

Base Product Number APT19F100 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8500pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Power Dissipation (Max) 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 16A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status RoHS Compliant
Series POWER MOS 8в„ў ->
Supplier Device Package ISOTOPВ®
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA

Техническая документация

Datasheet APT19F100J
pdf, 329 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов