F4150R12KS4BOSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 460 руб.
от 10 шт. —
52 730 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 60 460 руб.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 3.2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 180А |
| DC Ток Коллектора | 180А |
| Power Dissipation | 960Вт |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | Four Pack |
| Линейка Продукции | EconoPACK 3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 3.2В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Рассеиваемая Мощность | 960Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 2 Fast |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 748 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
