UNR5119G0L
2897 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 100 мА 80 МГц 150 мВт поверхностный монтаж SMini3-F2
Технические параметры
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 80MHz |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-85 |
Power - Max | 150mW |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
Supplier Device Package | SMini3-F2 |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300ВµA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Техническая документация
Datasheet UNR5119G0L
pdf, 630 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.