APTMC120AM25CT3AG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
102 700 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 102 700 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Mosfet Array 2 N-Channel (полумост) 1200 В (1,2 кВ) 113A (Tc) 500 Вт Монтаж на шасси SP3
Технические параметры
| Base Product Number | APTMC120 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 113A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 197nC @ 20V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 1000V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | SP3 |
| Power - Max | 500W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 80A, 20V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 4mA (Typ) |
Техническая документация
Datasheet APTMC120AM25CT3AG
pdf, 323 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
