MSC025SMA120S, MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-268

MSC025SMA120S, MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-268
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11 160 руб.
от 10 шт.9 320 руб.
от 30 шт.7 050 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 11 160 руб.
Номенклатурный номер: 8004810321
Артикул: MSC025SMA120S

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор UNRLS, FG, SIC МОП-транзистор, TO-268

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 89 A
Pd - рассеивание мощности 370 W
Qg - заряд затвора 232 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 31 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 1.2 kV
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V, + 23 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.8 V
Вид монтажа SMD/SMT
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1
Технология SiC
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Microchip / Microsemi
Упаковка Tube
Упаковка / блок D3PAK-3
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 3715 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов