UNR222300L
1499 шт., срок 7-9 недель
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 500 мА 200 МГц 200 мВт Поверхностный монтаж Mini3-G1
Технические параметры
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 100mA, 10V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 200MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power - Max | 200mW |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
Supplier Device Package | Mini3-G1 |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Техническая документация
Datasheet UNR222300L
pdf, 295 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.