STGWT80V60DF

STGWT80V60DF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 шт., срок 7-9 недель
1 720 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 720 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8006742443
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
Полевой упор для траншеи IGBT 600 В, 120 А, 469 Вт, сквозное отверстие TO-3P

Технические параметры

Base Product Number STGWT80 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 120A
Current - Collector Pulsed (Icm) 240A
ECCN EAR99
Gate Charge 448nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max 469W
REACH Status REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr) 60ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-3P
Switching Energy 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 60ns/220ns
Test Condition 400V, 80A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 80A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 120А
Power Dissipation 469Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции V
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-3P

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1597 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.