UNR411400A
969 шт., срок 7-9 недель
36 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 360 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 100 мА 80 МГц 300 мВт Сквозное отверстие NS-B1
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package | Cut Tape (CT)Tape & Box (TB) |
| Package / Case | 3-SSIP |
| Power - Max | 300mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | NS-B1 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300ВµA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 532 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
