Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › BSS87,115

BSS87,115

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

217792 шт., срок 6-8 недель

120 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 10 шт. — 88 руб.

от 100 шт. — 48 руб.

от 500 шт. — 41.72 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 240 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8006881615

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N-канал 200 В 400 мА (Ta) 580 мВт (Ta), 12,5 Вт (Tc) поверхностный монтаж SOT-89

Технические параметры

Base Product Number	BSS87 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	400mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-243AA
Power Dissipation (Max)	580mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 400mA, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-89
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Id - непрерывный ток утечки	400 mA
Pd - рассеивание мощности	1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.6 mm
Длина	4.6 mm
Другие названия товара №	933943940115
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.6 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	400 mA
Maximum Drain Source Resistance	3 Ω
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.8V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1 W
Minimum Gate Threshold Voltage	0.8V
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-89
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Width	2.6mm