Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Microchip › JANTX2N2484

JANTX2N2484

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 620 руб.

от 100 шт. — 1 990 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 620 руб.

Номенклатурный номер: 8006949279

Бренд: Microchip Technology

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Биполярный (BJT) транзистор NPN 60V 50mA 360mW Through Hole TO-18

Технические параметры

Base Product Number	2N2484 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	2nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	225 @ 10mA, 5V
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Notification	QPL or Military Specs are for reference only. Part
Operating Temperature	-65В°C ~ 200В°C (TJ)
Package	Bulk
Package / Case	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Power - Max	360mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	RoHS non-compliant
Series	Military, MIL-PRF-19500/376 ->
Supplier Device Package	TO-18
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 100ВµA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Pd - рассеивание мощности	360 mW
RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200 at 10 uA, 5 VDC
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	500 at 10 uA, 5 VDC
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	50 mA
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	300 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	100
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microchip / Microsemi
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-18-3