2N2219A

2N2219A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 940 руб.
от 100 шт.1 480 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 940 руб.
Номенклатурный номер: 8006969585

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 50V 800mA 800mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Технические параметры

Base Product Number 2N2219 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 200В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Power - Max 800mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status RoHS non-compliant
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Pd - рассеивание мощности 800 mW
RoHS N
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 75 at 1 mA at 10 VDC
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 325 at 1 mA at 10 VDC
Максимальная рабочая температура + 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора 800 mA
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 75 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 300 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 1
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Microsemi
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-39-3

Техническая документация

Datasheet 2N2219A
pdf, 161 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов