JANTXV2N5794
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
84 640 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 84 640 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Массив биполярных (BJT) транзисторов 2 NPN (Dual) 40 В, 600 мА, 600 мВт, сквозное отверстие TO-78-6
Технические параметры
| Base Product Number | 2N5794 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10ВµA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Notification | QPL or Military Specs are for reference only. Part |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 200В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-78-6 Metal Can |
| Power - Max | 600mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | RoHS non-compliant |
| Series | Military, MIL-PRF-19500/495 -> |
| Supplier Device Package | TO-78-6 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 900mV @ 30mA, 300mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
