IKQ50N120CH3XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 000 руб.
от 2 шт. —
3 810 руб.
от 3 шт. —
3 670 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 000 руб.
Описание
Электроэлемент
1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS package, PG-TO247-3, RoHS
Технические параметры
Channel Type | N |
Collector Current (DC) | 100(A) |
Configuration | Single |
Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
Mounting | Through Hole |
Operating Temperature (Max) | 175C |
Operating Temperature (Min) | -40C |
Operating Temperature Classification | AUTOMOTIVEC |
Package Type | TO-247 |
Packaging | Rail/Tube |
Pin Count | 3+Tab |
Rad Hardened | No |
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 100 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IKQ50N120CH3 SP001272708 |
Pd - Power Dissipation: | 652 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | IGBT HighSpeed 3 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | TRENCHSTOP |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1627 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов