P12F60HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 600В, 12А, Idm: 48А, 90Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
348 шт., срок 7 недель
390 руб.
от 5 шт. —
310 руб.
от 25 шт. —
238 руб.
от 100 шт. —
199.32 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 390 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 600В, 12А, Idm: 48А, 90Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | FTO-220AG(SC91) |
Drain current | 12A |
Drain-source voltage | 600V |
Gate charge | 26.5nC |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | bulk |
Manufacturer | SHINDENGEN |
Mounting | THT |
On-state resistance | 670mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 90W |
Pulsed drain current | 48A |
Technology | Hi-PotMOS2 |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1.56 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.