P10F50HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 500В, 10А, Idm: 40А, 79Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 шт., срок 7 недель
370 руб.
от 5 шт. —
290 руб.
от 25 шт. —
222 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 500В, 10А, Idm: 40А, 79Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | FTO-220AG(SC91) |
| Drain current | 10A |
| Drain-source voltage | 500V |
| Gate charge | 20nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Manufacturer | SHINDENGEN |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.75Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 79W |
| Pulsed drain current | 40A |
| Technology | Hi-PotMOS2 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1.6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
