P10F60HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 10А; Idm: 40А; 85Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
348 шт., срок 7 недель
380 руб.
от 5 шт. —
300 руб.
от 25 шт. —
227 руб.
от 100 шт. —
191.68 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 380 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | FTO-220AG(SC91) |
| Drain current | 10A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Gate charge | 23nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Manufacturer | SHINDENGEN |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.8Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 85W |
| Pulsed drain current | 40A |
| Technology | Hi-PotMOS2 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1.57 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 11076 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
