FGY40T120SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 330 руб.
от 3 шт. —
1 230 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 330 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А
Технические параметры
| Корпус | TO-247 | |
| Brand: | onsemi/Fairchild | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V | |
| Configuration: | Single | |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A | |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 | |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-400 nA | |
| Manufacturer: | onsemi | |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -25 V, +25 V | |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Package / Case: | TO-247-3 | |
| Packaging: | Tube | |
| Pd - Power Dissipation: | 882 W | |
| Product Category: | IGBT Transistors | |
| Product Type: | IGBT Transistors | |
| Series: | FGY40T120SMD | |
| Subcategory: | IGBTs | |
| Technology: | Si | |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 655 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
![GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303030.jpg)
![IGW60T120FKSA1 (G60T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
