IL211AT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
210 руб.
от 10 шт. —
184 руб.
от 45 шт. —
165 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 500 руб.
Описание
Электроэлемент
Оптопара DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 8-Pin SOIC N T / R
Технические параметры
Brand | Vishay Semiconductors |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30 V |
Configuration | 1 Channel |
Current Transfer Ratio | 50% |
Factory Pack Quantity | 2000 |
Height | 1.55 mm |
If - Forward Current | 60 mA |
Isolation Voltage | 4000 Vrms |
Length | 5 mm |
Manufacturer | Vishay |
Maximum Collector Current | 100 mA |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.4 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
Maximum Operating Temperature | +100 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Output Type | NPN Phototransistor |
Package / Case | SOIC-Narrow-8 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 240 mW |
Product Category | Transistor Output Optocouplers |
RoHS | Details |
Vf - Forward Voltage | 1.5 V |
Vr - Reverse Voltage | 6 V |
Width | 4 mm |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Unconfirmed |
HTS | 8541.40.80.00 |
Input Type | DC |
Output Device | Transistor With Base |
Number of Channels per Chip | 1 |
Minimum Isolation Voltage (Vrms) | 4000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
Maximum Forward Voltage (V) | 1.5 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
Maximum Current Transfer Ratio (%) | 50(Typ) |
Standard | UL|cUL |
Maximum Collector Current (mA) | 100 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV) | 400 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 240 |
Maximum Reverse Voltage (V) | 6 |
Typical Forward Voltage (V) | 1.3 |
Maximum Forward Current (mA) | 60 |
Minimum Current Transfer Ratio (%) | 20 |
Current Transfer Ratio Test Current (mA) | 10 |
Standard Package Name | SOP |
Pin Count | 8 |
Supplier Package | SOIC N |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 1.55(Max) |
Package Length | 5(Max) |
Package Width | 4(Max) |
PCB changed | 8 |
Lead Shape | Gull-wing |
If - прямой ток | 60 mA |
Pd - рассеивание мощности | 240 mW |
Vf - прямое напряжение | 1.5 V |
Vr - обратное напряжение | 6 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.55 mm |
Длина | 5 mm |
Категория продукта | Транзисторные выходные оптопары |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | 1 Channel |
Коэффициент передачи по току | 50 % |
Максимальная рабочая температура | + 100 C |
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 30 V |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
Максимальный коллекторный ток | 100 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение изоляции | 4000 Vrms |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30 V |
Подкатегория | Optocouplers |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Тип выхода | NPN Phototransistor |
Тип продукта | Transistor Output Optocouplers |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка / блок | SOIC-Narrow-8 |
Ширина | 4 mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 137 КБ
Документация
pdf, 133 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Оптопары с транзисторным и диодным выходом»
Похожие товары