F3L11MR12W2M1B74BOMA1, Discrete Semiconductor Modules EASY STANDARD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42 370 руб.
от 10 шт. —
34 570 руб.
от 30 шт. —
33 940 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 42 370 руб.
Описание
The Infineon F3L11MR12W2M1 is the silicon carbide MOSFET modules. This module have 75 kW power per module in energy storage systems and short and clean commutation loops.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.15V |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Package Type | AG-EASY2B |
| Series | F3L11MR12W2M1 |
Техническая документация
Datasheet F3L11MR12W2M1B74BOMA1
pdf, 853 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![FS200R07PE4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 200 А, 1.55 В, 600 Вт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/296/DOC005296256.jpg)
