EPC2014C

EPC2014C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
52011 шт., срок 7-9 недель
490 руб.
от 10 шт.370 руб.
от 100 шт.268 руб.
от 500 шт.212.46 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 490 руб.
Номенклатурный номер: 8007303650

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-Channel 40V 10A (Ta) Схема матрицы для поверхностного монтажа (5-пруток для припоя)

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V
HTSUS 8541.29.0040
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 20V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 10A, 5V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series eGaNВ® ->
Supplier Device Package Die Outline (5-Solder Bar)
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 2mA
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet EPC2014C
pdf, 1239 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.