IKB40N65EH5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 840 руб.
от 2 шт. —
1 710 руб.
от 5 шт. —
1 600 руб.
от 10 шт. —
1 531.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 840 руб.
Описание
Электроэлемент
IGBT, SINGLE, 650V, 74A, TO-263; DC Collector Current:74A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.65V; Power Dissipation Pd:250W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Collector Current (DC) | 74(A) |
| Configuration | Single |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature (Max) | 175C |
| Operating Temperature (Min) | -40C |
| Operating Temperature Classification | Automotive |
| Package Type | D2PAK |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Rad Hardened | No |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 74 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V |
| Maximum Power Dissipation | 333 W |
| Вес, г | 1.867 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1532 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
