Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRFR014PBF, Транзистор: N-MOSFET

IRFR014PBF, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

260 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.

Номенклатурный номер: 8007383846

Артикул: IRFR014PBF

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 4,9А, 25Вт, DPAK Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

EU RoHS	Compliant with Exemption
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.10.00.80
Product Category	Power MOSFET
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	60
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	4
Maximum Continuous Drain Current (A)	7.7
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum IDSS (uA)	25
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	200@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	11(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	11(Max)
Typical Gate to Drain Charge (nC)	5.8(Max)
Typical Gate to Source Charge (nC)	3.1(Max)
Typical Reverse Recovery Charge (nC)	200
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	300@25V
Typical Output Capacitance (pF)	160
Maximum Power Dissipation (mW)	2500
Typical Fall Time (ns)	19
Typical Rise Time (ns)	50
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	13
Typical Turn-On Delay Time (ns)	10
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Automotive	No
Pin Count	3
Supplier Package	DPAK
Standard Package Name	TO-252
Military	No
Mounting	Surface Mount
Package Height	2.39(Max)
Package Length	6.73(Max)
Package Width	6.22(Max)
PCB changed	2
Tab	Tab
Id - непрерывный ток утечки	7.7 A
Pd - рассеивание мощности	25 W
Qg - заряд затвора	11 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	2.38 mm
Длина	6.73 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	IRFR/U
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-252-3
Ширина	6.22 mm
Вес, г	0.66